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4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如（e）所示；5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如（f）所示；6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如（g）所示；7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如（h）所示。

二氧化硅波导工艺中的几个关键点：1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应；2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗；3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。巴中大型光缆一米多少钱,2芯光缆厂家